W magazynie: 30
Tranzystor TSM950N10 wykorzystuje zaawansowaną technologię MOSFET, zapewniając stabilny prąd drenu Id=6,5 A przy 25 °C oraz niską rezystancję włączenia Rds(on)=95 mΩ, co gwarantuje wysoką efektywność przy napięciu Vds=100 V.
Idealny do zastosowań profesjonalnych, takich jak zasilacze impulsowe, sterowanie silnikami, układy zarządzania energią i konwertery DC‑DC, gdzie wymagana jest niezawodna charakterystyka przy wysokich temperaturach.
| Parametr Techniczny | Wartość / Specyfikacja |
|---|---|
| Id (Tc=25°C) | 6,5 A |
| Id (Tc=100°C) | 4,1 A |
| Vds | 100 V |
| Rds(on) | 95 mΩ |
| Pd(max) | 9 W |
| Obudowa | SOT‑223 |
Zdjęcie poglądowe.