W magazynie: 186
Kombinacja MOSFET‑a high side z wbudowanymi zabezpieczeniami nadnapięciowym, nadprądowym i termicznym zapewnia stabilną pracę przy Vds 60V i Id 0,2A. Rdson 1 Ω w obudowie TO‑223 gwarantuje przewidywalny spadek napięcia i niskie straty cieplne w szerokim zakresie temperatur.
Idealny do aplikacji wymagających niezawodnego odsprzęgania linii zasilających w systemach zasilania, przetwornicach DC‑DC, zarządzaniu bateriami oraz innych układach przemysłowych i automotive, gdzie kluczowa jest ochrona przed przepięciami i przegrzaniem.
| Parametr Techniczny | Wartość / Specyfikacja |
|---|---|
| Obudowa | TO-223 |
| Vds | 60V |
| Id | 0.2A |
| Rdson | 1Ω |
| Zabezpieczenie nadnapięciowe | Tak |
| Zabezpieczenie nadprądowe | Tak |
| Zabezpieczenie termiczne | Tak |
| MPN | ITS4140N |
Zdjęcie poglądowe.