W magazynie: 331
MOSFET NMOS w technologii ON Semiconductor, kanał N, Vdss 250V, Id 16A, Rdson 270 mOhm, obudowa TO-252, zapewniający stabilność parametrów w zakresie temperatur od -55°C do +150°C.
Idealny do przetwornic DC-DC, zasilaczy impulsowych, sterowania silnikami oraz aplikacji automotive (zgodny z AEC-Q200). Dostępny w wersji FQD16N25CTM.
Zdjęcie poglądowe.
| Parametr Techniczny | Wartość / Specyfikacja |
|---|---|
| Obudowa | TO-252 |
| Vdss | 250V |
| Id | 16A |
| Rdson | 270 mOhm |
| MPN | FQD16N25CTM |
| Producent | ON |