W magazynie: 96
Stabilne parametry i zaawansowana technologia Infineon zapewniają wysoką niezawodność tranzystora N‑MOSFET IRL540NPBF. Obudowa TO‑220AB, Vdss = 100 V, Id = 36 A przy 25 °C oraz niski Rds(on) = 0,044 Ω gwarantują stałą wydajność przy dużych prądach.
Idealny do profesjonalnych aplikacji takich jak zasilacze impulsowe, sterowanie silnikami, układy napędowe i inne rozwiązania wymagające szybkiego przełączania przy wysokich obciążeniach.
| Parametr Techniczny | Wartość / Specyfikacja |
|---|---|
| Obudowa | TO-220AB |
| Vdss | 100 V |
| Id (Tc = 25°C) | 36 A |
| Id (Tc = 100°C) | 26 A |
| Rds(on) | 0,044 Ω |
Dokładne parametry dostępne są na datasheetzie producenta.
Zdjęcie poglądowe.