Informujemy, że nasz sklep internetowy wykorzystuje pliki cookies w celu prawidłowego działania serwisu.

Dodatkowo, za zgodą użytkownika wyrażoną poprzez kliknięcie przycisku „Akceptuję pliki cookies”, mogą być wykorzystywane pliki cookies oraz technologie analityczne i statystyczne, które umożliwiają analizę sposobu korzystania ze strony.

Zgoda na cookies dodatkowe jest dobrowolna i może zostać w każdej chwili wycofana.

P-MOSFET 40V 7,2A SI4447ADY-T1-GE3 | Vishay | Sensim.pl
search
  • P-MOSFET 40V 7,2A SI4447ADY-T1-GE3 | Vishay | Sensim.pl

Tranzystor P-MOSFET 40V 7,2A SI4447ADY-T1-GE3 Vishay

MPN: SI4447ADY-T1-GE3
2,63 zł
Brutto

W magazynie: 300

Rabaty ilościowe

Ilość Cena jednostkowa
1 - 9 2,63 zł
10 - 49 1,97 zł
50 - 99 1,71 zł
100+ 1,45 zł
Ilość

MOSFET typu P w obudowie SO-8, charakteryzujący się niską rezystancją w stanie włączenia Rdson 45 mOhm oraz maksymalnym napięciem dren-źródło Vdss 40 V, co zapewnia stabilność parametrów przy prądach do 7,2 A (Tc=25 C) i 5,5 A (Ta=25 C).

Idealny do zastosowań w układach zasilania, przetwornicach DC-DC, load switchach oraz w aplikacjach automotive wymagających szybkiego przełączania i niskich strat.

Parametr TechnicznyWartość / Specyfikacja
ObudowaSO-8
Vdss40 V
Id (Tc=25°C)7,2 A
Id (Ta=25°C)5,5 A
Rdson45 mOhm
MPNSI4447ADY-T1-GE3

Zdjęcie poglądowe.

Komentarze (0)