W magazynie: 300
MOSFET typu P w obudowie SO-8, charakteryzujący się niską rezystancją w stanie włączenia Rdson 45 mOhm oraz maksymalnym napięciem dren-źródło Vdss 40 V, co zapewnia stabilność parametrów przy prądach do 7,2 A (Tc=25 C) i 5,5 A (Ta=25 C).
Idealny do zastosowań w układach zasilania, przetwornicach DC-DC, load switchach oraz w aplikacjach automotive wymagających szybkiego przełączania i niskich strat.
| Parametr Techniczny | Wartość / Specyfikacja |
|---|---|
| Obudowa | SO-8 |
| Vdss | 40 V |
| Id (Tc=25°C) | 7,2 A |
| Id (Ta=25°C) | 5,5 A |
| Rdson | 45 mOhm |
| MPN | SI4447ADY-T1-GE3 |
Zdjęcie poglądowe.