W magazynie: 1000
Tranzystor NTHD4102PT1G to podwójny MOSFET P‑channel w technologii ChipFET od ON Semiconductor, zapewniający stabilne parametry przy napięciu Vdss 20 V i maksymalnym prądzie 2.9 A. Niska rezystancja Rdson 64 mΩ oraz maksymalna moc 1.1 W gwarantują wysoką efektywność i niezawodność w wymagających układach.
Idealny do zastosowań profesjonalnych, takich jak zarządzanie zasilaniem, przełączniki obciążeniowe czy układy ochronne w systemach przemysłowych i motoryzacyjnych.
| Parametr Techniczny | Wartość / Specyfikacja |
|---|---|
| Obudowa | ChipFET |
| Vdss | 20 V |
| Idmax (Ta=25 °C) | 2.9 A |
| Rdson | 64 mΩ |
| Pmax | 1.1 W |
Dokładne parametry dostępne są na stronie producenta: datasheet
Zdjęcie poglądowe.