W magazynie: 50
Tranzystor N-MOSFET Toshiba TK5P60W z technologią wysokiego napięcia, zapewniający stabilny Rdson 0,9 Ohm przy Id 5,4 A i Vdss 600 V w szerokim zakresie temperatur.
Idealny do zasilaczy impulsowych, układów automotive, przetwornic i aplikacji wymagających niskiej rezystancji włączania oraz wytrzymałej obudowy TO-252.
| Parametr Techniczny | Wartość / Specyfikacja |
|---|---|
| Obudowa | TO-252 |
| Vdss | 600 V |
| Id | 5,4 A |
| Rdson | 0,9 Ohm |
Zdjęcie poglądowe.