W magazynie: 97
Tranzystor N‑MOSFET w technologii CMOS, Rds(on) 30 mΩ przy Vgs=10 V, maksymalny prąd Id 6 A, napięcie dren‑źródło Vds 20 V, moc rozpraszania Pd 1,6 W, kompaktowa obudowa TSSOP‑8 zapewniająca niską pojemność pasożytniczą.
Idealny do zarządzania zasilaniem w przetwornicach DC‑DC, sterownikach silników oraz aplikacjach wymagających szybkiego przełączania i niskiej rezystancji włączania.
MPN: TSM6866
Zdjęcie poglądowe.
| Parametr Techniczny | Wartość / Specyfikacja |
|---|---|
| MPN | TSM6866 |
| Typ | 2x N‑MOSFET |
| Id | 6 A |
| Vds | 20 V |
| Rds(on) | 30 mΩ |
| Pd | 1,6 W |
| Obudowa | TSSOP‑8 |