W magazynie: 100
Tranzystor N-MOSFET IRF40B207 od Infineon charakteryzuje się wysoką stabilnością parametrów przy napięciu Vdss 40 V i prądzie Id 95 A, a niski Rds(on) 3,6 mΩ zapewnia efektywne zarządzanie mocą.
Idealny do zastosowań przemysłowych, zasilaczy, układów napędowych i konwerterów, gdzie wymagana jest duża wydajność prądowa i niskie straty.
| Parametr Techniczny | Wartość / Specyfikacja |
|---|---|
| Model | IRF40B207 |
| Producent | Infineon |
| Obudowa | TO-220AB |
| Vdss | 40 V |
| Id (Tc=25°C) | 95 A |
| Rds(on) | 0,0036 Ω |
Dokładne parametry dostępne są w datasheetzie producenta.
Zdjęcie poglądowe.