W magazynie: 242
Tranzystor P-MOSFET SI2309DS od Vishay, z kanałem P, charakteryzuje się Vdss 60V, Id 1,25A oraz Rdson 275 mOhm, zapewniając niskie straty przy przełączaniu. Stabilność parametrów utrzymana jest w szerokim zakresie temperatur od -40°C do +125°C.
Idealny do aplikacji wymagających szybkiego odsprzęgania linii zasilających, regulacji napięcia w układach bateryjnych oraz sterowania obciążeniami w systemach przemysłowych i konsumenckich.
| Parametr Techniczny | Wartość / Specyfikacja |
|---|---|
| Obudowa | SOT-23 |
| Vdss | 60V |
| Id | 1,25A |
| Rdson | 275 mOhm |
| MPN | SI2309DS |
Zdjęcie poglądowe.