W magazynie: 496
N‑MOSFET typu low‑side w obudowie TO‑252, zapewniający stabilny Vds 42 V i Id 2.4 A przy Rdson 100 mΩ, co przekłada się na niskie straty przy wysokich częstotliwościach. Wbudowane zabezpieczenia nadnapięciowe, nadprądowe i termiczne zwiększają niezawodność w trudnych warunkach.
Idealny do aplikacji automotive, zasilaczy DC‑DC, sterowników silników oraz układów zarządzania energią, gdzie wymagana jest szybka reakcja i pełna ochrona przed przepięciami, przeciążeniem i przegrzaniem.
| Parametr Techniczny | Wartość / Specyfikacja |
|---|---|
| Model / MPN | BTS118D |
| Producent | Infineon |
| Obudowa | TO‑252 |
| Vds | 42 V |
| Id | 2.4 A |
| Rdson | 100 mOhm |
| Zabezpieczenie nadnapięciowe | tak |
| Zabezpieczenie nadprądowe | tak |
| Zabezpieczenie termiczne | tak |
Zdjęcie poglądowe.