- Nowy
W magazynie: 250
Tranzystor N‑MOSFET STP38N65M5 od STM charakteryzuje się wysoką stabilnością parametrów przy napięciu Vdss = 650 V oraz prądzie Id = 30 A (Tc = 25 °C). Niska rezystancja w stanie włączenia Rds(on) = 0,095 Ω zapewnia efektywne przewodzenie przy minimalnych stratach.
Urządzenie przeznaczone jest do zastosowań profesjonalnych, takich jak zasilacze wysokiego napięcia, układy napędowe silników, inwertery i inne rozwiązania przemysłowe wymagające dużych prądów i wytrzymałości termicznej.
| Parametr Techniczny | Wartość / Specyfikacja |
|---|---|
| Obudowa | TO-220 |
| Vdss | 650 V |
| Id @Tc=25°C | 30 A |
| Id @Tc=100°C | 19 A |
| Rds(on) | 0,095 Ω |
Zdjęcie poglądowe.