Informujemy, że nasz sklep internetowy wykorzystuje pliki cookies w celu prawidłowego działania serwisu.

Dodatkowo, za zgodą użytkownika wyrażoną poprzez kliknięcie przycisku „Akceptuję pliki cookies”, mogą być wykorzystywane pliki cookies oraz technologie analityczne i statystyczne, które umożliwiają analizę sposobu korzystania ze strony.

Zgoda na cookies dodatkowe jest dobrowolna i może zostać w każdej chwili wycofana.
P-MOSFET 8V 4,4A SI2305CDS-T1-GE3 | Vishay | Sensim.pl
search
  • P-MOSFET 8V 4,4A SI2305CDS-T1-GE3 | Vishay | Sensim.pl

Tranzystor P-MOSFET 8V 4,4A SOT-23 SI2305CDS-T1-GE3 Vishay

MPN: SI2305CDS-T1-GE3
1,10 zł
Brutto

W magazynie: 998

Rabaty ilościowe

Ilość Cena jednostkowa
1 - 9 1,10 zł
10 - 49 0,83 zł
50 - 99 0,72 zł
100+ 0,61 zł
Ilość

MOSFET typu P w technologii Vishay, kanał zapewniający niski opor w stanie wlaczenia Rdson 28 mOhm, maksymalne napiecie dren-zrodlo 8 V i prad drenu 4,4 A przy 25 C, kompaktowa obudowa SOT-23.

Sprawdza sie w aplikacjach wymagajacych szybkiego przelaczania zasilania, zarzadzania bateriami, układow zabezpieczen i konwersji mocy w urzadzeniach przenosnych oraz automotive (klasa AEC-Q200).

Parametr TechnicznyWartość / Specyfikacja
ObudowaSOT-23
Vdss8 V
Id (Ta=25C)4,4 A
Rdson28 mOhm
Typ kanaluP-MOSFET
ProducentVishay
MPNSI2305CDS-T1-GE3

datasheet

Zdjęcie poglądowe.

Klienci, którzy zakupili ten produkt, kupili również:

16 innych produktów w tej samej kategorii:

Komentarze (0)