W magazynie: 100
Tranzystor N-MOSFET w technologii planar, napięcie dren‑źródło 600 V i prąd ciągły 1,2 A, zapewniający stabilny Rds(on) 8 mΩ w szerokim zakresie temperatur.
Idealny do układów zasilania wysokiego napięcia, przetwornic offline, aplikacji motoryzacyjnych oraz przemysłowych wymagających niskiej rezystancji włączania.
| Parametr Techniczny | Wartość / Specyfikacja |
|---|---|
| Obudowa | DPAK (TO-252) |
| Vds | 600 V |
| Id | 1,2 A |
| Rds(on) | 8 mΩ |
| MPN | STD1HN60K3 |
| Producent | STM |