W magazynie: 310
Tranzystor MOSFET w technologii Infineon, obudowa TO-252, dielektryk silikonowy zapewniający stabilność parametrów przy Vds 650V i Id 1,8A, Rds(on) 3Ω w temperaturach od -55°C do +150°C.
Idealny do aplikacji wysokiego napięcia w zasilaczach przemysłowych, układach przetwornic, systemach automotive i innych wymagających szybkiego przełączania przy dużej wytrzymałości.
| Parametr Techniczny | Wartość / Specyfikacja |
|---|---|
| Typ produktu | MOSFET |
| Obudowa | TO-252 |
| Vds | 650V |
| Id | 1,8A |
| Rds(on) | 3Ω |
| MPN | SPD02N60C3 |
| Producent | Infineon |