- Nowy
W magazynie: 200
Tranzystor N‑MOSFET IPP80N06S2‑08 od Infineon charakteryzuje się wysoką stabilnością parametrów przy dużych prądach oraz niską rezystancją w stanie włączenia (Rds(on) = 0,008 Ω). Solidna obudowa PG‑TO220‑3‑1 zapewnia skuteczne odprowadzanie ciepła, co gwarantuje niezawodną pracę w szerokim zakresie temperatur.
Urządzenie dedykowane jest do zastosowań profesjonalnych, takich jak zasilacze impulsowe, sterowniki silników, układy przetwornic i inne aplikacje wymagające wysokiego prądu (Id = 80 A) przy napięciu do 55 V.
| Parametr Techniczny | Wartość / Specyfikacja |
|---|---|
| Obudowa | PG-TO220-3-1 |
| Vdss | 55 V |
| Id (Tc = 25 °C) | 80 A |
| Id (Tc = 100 °C) | 80 A |
| Rds(on) | 0,008 Ω |
Zdjęcie poglądowe.