W magazynie: 536
Kondensator N‑MOSFET w technologii ON Semiconductor, z niską rezystancją włączenia Rdson 12.5 mΩ, napięciem dren‑źródło Vdss 30 V i maksymalnym prądem Id 11 A, zamknięty w kompaktowej obudowie SO‑8, zapewnia stabilną pracę w szerokim zakresie temperatur.
Idealny do aplikacji wymagających wysokiej wydajności, takich jak przetwornice DC‑DC, zasilacze impulsowe, sterowanie silnikami oraz układy zarządzania energią w przemyśle.
Pełna specyfikacja dostępna w datasheet.
| Parametr Techniczny | Wartość / Specyfikacja |
|---|---|
| Typ | N‑MOSFET |
| Obudowa | SO‑8 |
| Vdss | 30 V |
| Id | 11 A |
| Rdson | 12.5 mΩ |
| Producent | ON Semiconductor |
| MPN | FDS6690A |