W magazynie: 1995
Tranzystor N-MOSFET STB24NM60N z napięciem dren‑źródło 650 V i prądem 17 A, typowym Rdson 0,168 Ω, zapewnia stabilną charakterystykę w szerokim zakresie temperatur od –55 °C do +150 °C.
Idealny do zasilaczy wysokiego napięcia, przetwornic DC‑DC, aplikacji automotive i przemysłowych, gdzie wymagana jest wysoka wytrzymałość napięciowa i niski spadek napięcia przy dużych prądach.
| Parametr Techniczny | Wartość / Specyfikacja |
|---|---|
| Model (MPN) | STB24NM60N |
| Producent | STM |
| Typ obudowy | D2PAK |
| Vdss | 650 V |
| Id (Tc=25 °C) | 17 A |
| Id (Tc=100 °C) | 11 A |
| Rdson (typ) | 0,168 Ω |
Zdjęcie poglądowe.