W magazynie: 300
MOSFET N‑kanał w izolowanej obudowie TO‑220MF, Vdss 100 V, Id 33 A przy 25 °C, Id 23 A przy 100 °C, Rdson 0,034 Ω zapewniający niskie straty przy wysokich prądach.
Idealny do zasilaczy impulsowych, przetwornic DC‑DC oraz sterowania silnikami w aplikacjach wymagających wysokiego prądu i niskiej rezystancji włączonych.
| Parametr Techniczny | Wartość / Specyfikacja |
|---|---|
| Obudowa | TO-220MF (izolowana) |
| Vdss | 100 V |
| Id (25 °C) | 33 A |
| Id (100 °C) | 23 A |
| Rdson | 0,034 Ω |
Zdjęcie poglądowe.