W magazynie: 49
MOSFET N-channel w obudowie TO-252, Vdss 100 V, Id 6,8 A przy 25 C, Rdson 124 mOhm zapewniajacy niska rezystancje w stanie wlaczenia.
Idealny do przetwornic DC-DC, sterowania silnikami oraz układów zasilania wysokiej mocy w aplikacjach przemyslowych.
| Parametr Techniczny | Wartość / Specyfikacja |
|---|---|
| Obudowa | TO-252 |
| Vdss | 100 V |
| Id (25°C) | 6,8 A |
| Id (100°C) | 4,3 A |
| Rdson | 124 mOhm |
Zdjecie pogladowe.