Tranzystor N-MOSFET 100V 203A 4,1mΩ NTBGS004N10G Onsemi
MPN: NTBGS004N10G
29,38 zł
Brutto
W magazynie: 94
MOSFET N-MOS w technologii planar, obudowa D2PAK7, Vdss 100V, Idmax 203A (Tc=25 °C), Id 21A (Ta=25 °C), Rdson typ 3,0 mΩ, Rdson max 4,1 mΩ, Pmax 340 W przy Tc=25 °C – zapewnia stabilną pracę przy wysokich prądach i niskich stratach.
Idealny do przetwornic DC‑DC, zasilaczy impulsowych, układów automotive i aplikacji wymagających niskiej rezystancji włączania przy dużych prądach.
| Parametr Techniczny | Wartość / Specyfikacja |
|---|---|
| Obudowa | D2PAK7 |
| Vdss | 100 V |
| Idmax | 203 A (Tc=25 °C) |
| Id | 21 A (Ta=25 °C) |
| Rdson typ | 3,0 mΩ |
| Rdson max | 4,1 mΩ |
| Pmax | 340 W (Tc=25 °C) |
| MPN | NTBGS004N10G |
Pełna karta katalogowa: datasheet
Zdjęcie poglądowe.
Ostatnio przeglądane
16 innych produktów w tej samej kategorii:
Komentarze (0)
Na razie nie dodano żadnej recenzji.