W magazynie: 26
Tranzystor N‑MOSFET w technologii planar silicon zapewniający stabilny Rds(on) 1,9 Ω oraz wytrzymałość Vdss 800 V w szerokim zakresie temperatur.
Idealny do zasilaczy wysokiego napięcia, przetwornic, układów napędowych i aplikacji przemysłowych wymagających wysokiej wytrzymałości.
| Parametr Techniczny | Wartość / Specyfikacja |
|---|---|
| MPN | STP5NK80Z |
| Obudowa | TO-220 |
| Vdss | 800 V |
| Id (Tc=100°C) | 2,7 A |
| Rds(on) | 1,9 Ω |
Zdjęcie poglądowe.