W magazynie: 2500
Tranzystor PNP BSS63LT1G od ON Semiconductor charakteryzuje się wysoką stabilnością parametrów oraz nowoczesną technologią produkcji, co zapewnia niezawodną pracę przy napięciu Vceo = 100 V i prądzie kolektora Ic = 100 mA. Niska moc strat (P = 0,3 W na podłożu aluminiowym) i kompaktowa obudowa SOT‑23 gwarantują efektywne zarządzanie ciepłem.
Idealny do zastosowań profesjonalnych, takich jak sterowanie obciążeniami, układy zasilania, przekaźniki elektroniczne oraz układy zabezpieczeń w przemyśle i automatyce.
| Parametr Techniczny | Wartość / Specyfikacja |
|---|---|
| Obudowa | SOT-23 |
| Vceo | 100 V |
| Ic | 100 mA |
| P | 0,3 W (na podłożu aluminiowym) |