W magazynie: 4
Tranzystor Darlington MJD122G w technologii ON Semiconductor, zapewniający niski spadek napięcia nasycenia i wysokie wzmocnienie prądowe, co gwarantuje stabilną pracę przy napięciu kolektora do 100 V i prądzie kolektora do 8 A w szerokim zakresie temperatur.
Idealny do zasilaczy impulsowych, sterowania silnikami, aplikacji automotive i innych układów wymagających wysokiego prądu przy kompaktowej obudowie DPAK (TO‑252).
| Parametr Techniczny | Wartość / Specyfikacja |
|---|---|
| Typ | Darlington |
| Uce (max) | 100 V |
| Ic (max) | 8 A |
| Obudowa | DPAK (TO‑252) |
| MPN | MJD122G |