- Nowy
W magazynie: 52
Tranzystor N-MOSFET IPP033N04NF2S firmy Infineon charakteryzuje się wysoką stabilnością parametrów przy napięciu Vdss 40 V oraz prądzie Id do 113 A, a niski Rds(on) wynoszący 0,003 Ω zapewnia efektywność energetyczną.
Idealny do zastosowań profesjonalnych, takich jak zasilacze impulsowe, układy napędowe oraz wysokoprądowe przetwornice, gdzie wymagana jest duża wytrzymałość termiczna i niskie straty.
| Parametr Techniczny | Wartość / Specyfikacja |
|---|---|
| Obudowa | PG-TO220-3 |
| Vdss | 40 V |
| Id (Tc=25 °C) | 113 A |
| Id (Tc=100 °C) | 87 A |
| Rds(on) | 0,003 Ω |
| MPN | IPP033N04NF2SAKMA1 |
Zdjęcie poglądowe.