- Nowy
W magazynie: 5000
Tranzystor SI2328DS‑T1‑GE3 to N‑MOSFET produkcji Vishay, wykorzystujący zaawansowaną technologię krzemową, zapewniającą stabilne parametry przy napięciu Vdss = 100 V i prądzie Id = 1,15 A. Niska rezystancja Rdson = 195 mΩ gwarantuje minimalne straty przy wysokiej wydajności.
Idealny do zastosowań profesjonalnych, takich jak układy zasilania, przetwornice DC‑DC, sterowanie silnikami oraz układy zabezpieczeń, gdzie wymagana jest szybka przełączalność i niskie spadki napięcia.
| Parametr Techniczny | Wartość / Specyfikacja |
|---|---|
| Obudowa | SOT‑23 |
| Vdss | 100 V |
| Id (Ta=25 °C) | 1,15 A |
| Rdson | 195 mΩ |
| MPN | SI2328DS‑T1‑GE3 |
Dokładne parametry dostępne w datasheetzie producenta.
Zdjęcie poglądowe.