Tranzystor NTHD4102PT1G 2xP-MOS 20V 2.9A ChipFET.

Tranzystor NTHD4102PT1G podwójny MOSFET z kanałem P produkcji ON Semiconductor.

Parametry:

• obudowa ChipFET
• Vdss = 20V
• Idmax = 2.9A (Ta=25 °C)
• Rdson = 64 mΩ
• Pmax = 1.1W

Dokładne parametry dostępne są na stronie producenta:

https://www.onsemi.com/download/data-sheet/pdf/nthd4102p-d.pdf

Zdjęcie poglądowe.