Tranzystor FDD1600N10ALZ MOSFET z kanałem N produkcji ONSEMI.
Parametry:
- obudowa TO-252
- Vdss = 100V
- Id (@Tc=25°C)= 6,8 A
- Id (@Tc=100°C)= 4,3 A
- Rdson = 124 mΩ
Dokładne parametry dostępne są na stronie producenta:
https://www.onsemi.com/pdf/datasheet/fdd1600n10alz-d.pdf
Zdjęcie poglądowe.
