W magazynie: 1548
Dioda prostownicza S3GB wykorzystuje strukturę PN w technologii krzemowej, zapewniając stabilny spadek napięcia Uf 1,15 V przy prądzie If 3 A oraz wytrzymałość napięcia Ur 400 V w szerokim zakresie temperatur.
Idealna do zasilaczy impulsowych, przetwornic DC-DC oraz układów ochronnych w aplikacjach przemysłowych i motoryzacyjnych (norma AEC-Q200).
| Parametr Techniczny | Wartość / Specyfikacja |
|---|---|
| Typ | Dioda prostownicza |
| Model (MPN) | S3GB |
| Obudowa | SMB (DO-214AA) |
| Prąd przewodzenia (If) | 3 A |
| Napięcie wstecznego przebicia (Ur) | 400 V |
| Spadek napięcia przy przewodzeniu (Uf) | 1,15 V |